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200um/500um APD Chip For LiDAR激光雷達(dá)用200um/500um 雪崩光電二極管(APD)芯片

INTRODUCTION介紹

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200um/500um  Avalanche Photodiode (APD) Chip For LiDAR - OS-APD200 / OS-APD500


Features 

   High speed

   High responsivity

   Low capacitance

   Low dark current

   Top illuminated planar structure

 

Application

   Light Detection and Ranging (LiDAR)

   Rangefinder

   Measuring Instrument


Specification   (Tc=25℃) 


PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

ALL

Response   range

λ

900


1650

nm


Breakdown   Voltage

VBR

40


50

V

Id=10uA

Temperature   coefficient

of   VBR



0.12


V/℃


Responsivity

R

9

10


A/W

VBR-4V

OS-

APD200

Dark   current

ID


6.0

30

nA

VR=VBR-4V

Capacitance

C


1.6


pF

VR=38V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


2.0


GHz


OS-

APD500

Dark   current

ID


60

200

nA

VR=VBR-4V

Capacitance

C


8.0


pF

VR=38V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


1.0


GHz




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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列芯片等定制服務(wù)。

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產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列

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