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40um 10Gbps APD Chip For XG-PON ONUXG-PON ONU 用40um 10Gbps雪崩光電二極管芯片

INTRODUCTION介紹

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40um 10Gbps APD Chip For XG-PON ONU - OS-APD1040

Features 

   Data rates up to 10Gbps

   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

  

Application

   XG-PON
   PON ONU/OLT       
   Optical  Ethernet 


Specification  (Tc=25℃) 


PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

900


1650

nm


Breakdown Voltage

VBR

30


50

V

I=10uA

Responsivity

R


0..85


A/W

M=1,λ=1550nm

Multiplication factor

M

9



-

VR=VBR-3V

Temperature

coefficient of VBR



0.028


V/℃


Dark current

ID



150

nA

VR=VBR-3V

Capacitance

C


0.11

0.12

pF

VR=VBR-3V

Bandwidth

Bw


7.5


GHz







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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列芯片等定制服務(wù)。

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產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列

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