GaAs 850nm 100Gbps PAM4 / 850nm 400Gbps PAM4 1x4 Array PD Chip
OS-GaAs5030 / OS-GaAs4x5030
Features
Bandwidth up to 36GHz
φ30um active area
Low capacitance
Application
100Gbps PAM4
400Gbps PAM4
400Gbps SFP+
Specification (Tc=25℃, Single Die)
PARAMETER | SYMBOL | MIN | TYP | MAX | UNIT | TEST CONDITIONS |
Response range | λ | 840 | 850 | 860 | nm | |
Responsivity | R | 0.55 | 0.6 | A/W | λ=850nm | |
Dark current | ID | 0.01 | 0.05 | nA | VR=-5V | |
Capacitance | C | 0.05 | 0.09 | pF | VR=-2V, f=1MHz | |
Bandwidth | Bw | 36.0 | GHz | VR=-2V 3dB down, RL=50Ω |
2023-08
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2023-08
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產(chǎn)品應用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達等領域，并可提供不同響應波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列芯片等定制服務。
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