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InGaAs 28Gbaud PD Chip / 4x28Gbaud Array PD Chip1310nm 50Gbps PAM4 光探測(cè)器芯片 & 4x50Gbps PAM4 光探測(cè)器陣列芯片

INTRODUCTION介紹

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InGaAs 28Gbaud PIN & 4x28Gbaud Array PD Chip － OS-PD2818、OS-PD4x2818


50G -200G PAM4 PIN PD芯片



Features

   Data rate up to 200Gbps 
   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

   Diode on Semi Insulating Substrates

   Anode/Cathode Pads on Front Side


Application

   IEEE 50-200Gigabit Ethernet

   200Gbps CWDM4,PAM4



Specification  (Tc=25℃，Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active area diameter

D


18


μm


Response   range

λ

900


1650

nm


Responsivity

R

0.8

0.90


A/W

λ=1310nm


0.90


λ=1550nm

Dark   current

ID


0.01

0.10

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.06

0.09

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


25.0


GHz

3dB down,   RL=50Ω

Die size


250X340

μm

For   Single Die

250X1360

For 1x4 Array


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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列芯片等定制服務(wù)。

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產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列

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