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InGaAs 56Gbaud PD Chip / 4x56Gbaud Array PD Chip1310nm 100Gbps PAM4 光探測器芯片 & 4x100Gbps PAM4 光探測器陣列芯片

INTRODUCTION介紹

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InGaAs 56Gbaud PIN & 4x56Gbaud Array PD Chip － OS-PD5016、OS-PD4x5016


1310nm 100G -400G PAM4 PIN PD芯片



Features

   Data rate up to 400Gbps 
   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

   Diode on Semi Insulating Substrates

   Anode/Cathode Pads on Front Side


Application

   IEEE 100-400Gigabit Ethernet

   400Gbps CWDM4,PAM4



Specification  (Tc=25℃，Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active area diameter

D


18


μm


Response   range

λ

900


1650

nm


Responsivity

R

0.7

0.75


A/W

λ=1310nm


0.75


λ=1550nm

Dark   current

ID


0.02

0.50

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.05

0.07

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


36.0


GHz

3dB down,   RL=50Ω

Die size


250X340

μm

For   Single Die

250X1360

For 1x4 Array



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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達等領域，并可提供不同響應波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列芯片等定制服務。

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